[实用新型]一种具有钝化层结构的太阳电池有效
申请号: | 201920739378.1 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN209592050U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 尹丙伟;张忠文;张鹏;杨蕾;丁士引;余波 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司;通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有钝化层结构的太阳电池,正面的外钝化保护层设置为氮化硅膜层,背面的外钝化保护层设置为氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层,位于所述硅衬底背面的氮氧化硅膜层或二氧化钛膜层上印刷有铝背场,所述铝背场通过激光刻槽与硅衬底形成欧姆接触连接,铝背场背面设置有背电极;位于所述硅衬底正面的氮化硅膜层上设置有正电极,所述正电极与硅衬底连接。本实用新型正、背面不同的外钝化保护层,可以更好的增强了电池片的抗PID性能,并且可以更加有效的提升电池光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 硅衬底 钝化保护层 铝背场 氮氧化硅膜层 二氧化钛膜层 本实用新型 氮化硅膜层 钝化层 正电极 光电转换效率 背面设置 激光刻槽 欧姆接触 背电极 电池片 背面 电池 印刷 | ||
【主权项】:
1.一种具有钝化层结构的太阳电池,包括硅衬底(1),其特征在于:所述硅衬底(1)正面和背面均依次沉积有内钝化层(2)、中钝化层(3)和外钝化保护层(4),正面的外钝化保护层(4)设置为氮化硅膜层(41),背面的外钝化保护层(4)设置为氮氧化硅膜层(42)或二氧化钛膜层(43);位于所述硅衬底(1)背面的氮氧化硅膜层(42)或二氧化钛膜层(43)上印刷有铝背场(5),所述铝背场(5)通过激光刻槽与硅衬底(1)形成欧姆接触连接,铝背场(5)背面设置有背电极(6);位于所述硅衬底(1)正面的氮化硅膜层(41)上设置有正电极(7),所述正电极(7)与硅衬底(1)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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