[实用新型]一种高亮度LED芯片有效
| 申请号： | 201920747243.X | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN209822678U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；所述第一电极与第二电极具有倾斜表面。本实用新型还公开了一种上述高亮度LED芯片的制备方法以及封装方法。实施本实用新型，可有效减少了电极面积，同时保证不减少封装打线面积，有效提升了LED芯片的亮度与效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 本实用新型 高亮度LED 第二电极 第一电极 外延层 封装 芯片 衬底表面 倾斜表面 有效减少 电极 衬底 打线 源层 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；/n设于所述第一半导体层的第一电极；和/n设于所述第二半导体层的第二电极；/n所述第一电极和/或第二电极具有倾斜表面。/n
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