[实用新型]半导体结构及存储器有效
| 申请号： | 201920754097.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN210073860U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 杨正杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 31260 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例涉及一种半导体结构及存储器，半导体结构包括：衬底、位于衬底内的栅极结构、第一源漏掺杂区以及第二源漏掺杂区；位于所述衬底内的反熔丝电容，所述第一源漏掺杂区作为所述反熔丝电容的电极板，所述反熔丝电容还包括：位于所述第一源漏掺杂区侧壁表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的电容导电层。本实用新型实施例中，反熔丝电容以及栅极结构设置于衬底内，且利用控制栅晶体管中的源极或者漏极作为反熔丝电容的下电极板，提供一种具有全新结构的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 反熔丝 源漏掺杂区 衬底 半导体结构 本实用新型 电容介质层 栅极结构 控制栅晶体管 侧壁表面 下电极板 存储器 导电层 电极板 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底以及位于所述衬底内的栅极结构，且所述衬底露出所述栅极结构顶部；/n位于所述栅极结构一侧的衬底内的第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区的掺杂类型为N型掺杂或P型掺杂；/n位于所述栅极结构另一侧的衬底内的第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区与所述第一源漏掺杂区分别位于所述栅极结构相对的两侧，且所述第二源漏掺杂区的掺杂类型与所述第一源漏掺杂区的掺杂类型相同；/n位于所述衬底内的反熔丝电容，所述第一源漏掺杂区作为所述反熔丝电容的电极板，所述反熔丝电容还包括：位于所述第一源漏掺杂区侧壁表面的电容介质层以及位于所述电容介质层表面的电容导电层。/n
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