[实用新型]一种集成电路与微机电系统的直接键合装置有效

专利信息
申请号: 201920775798.5 申请日: 2019-05-28
公开(公告)号: CN209896051U 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健 申请(专利权)人: 罕王微电子(辽宁)有限公司
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60;B81C3/00
代理公司: 21001 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 代理人: 张晨
地址: 113000 辽宁省抚顺*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置,包括太阳能电池,平坦化氧化层,对准金属接触部分,金属互连部分,焊点;平坦化氧化层与带有导电连接和密封的对准金属接触部分在低温直接键合,实现金属互连部分与高气密性的结合,金属互连部分和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充,焊点位于金属互连部分上。本实用新型的优点:本实用新型所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置,原理结构简单,工艺稳定,提高了产品可靠性。
搜索关键词: 金属互连 直接键合 焊点 本实用新型 微机电系统 金属接触 平坦化 氧化层 集成电路 对准 产品可靠性 太阳能电池 导电连接 高气密性 工艺稳定 刻蚀技术 原理结构 填充 密封 电池
【主权项】:
1.一种集成电路与微机电系统的直接键合装置,其特征在于:所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置,包括太阳能电池(1),平坦化氧化层(2),对准金属接触部分(3),金属互连部分(4),焊点(5);/n平坦化氧化层(2)与带有导电连接和密封的对准金属接触部分(3)在低温直接键合,实现金属互连部分(4)与高气密性的结合,金属互连部分(4)和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充,焊点(5)位于金属互连部分(4)上,太阳能电池(1)在顶部,通过深反应离子刻蚀,刻出深孔,填充太阳能电池或薄膜电池。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罕王微电子(辽宁)有限公司,未经罕王微电子(辽宁)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920775798.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top