[实用新型]一种平板式PECVD设备腔体充气装置有效
申请号: | 201920798608.1 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN210341061U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 唐电;陈国钦;杨彬;苏卫中;郭立;许烁烁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;徐好 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种平板式PECVD设备腔体充气装置,包括腔体、及与腔体铰接的腔盖,还包括上充气组件和/或下充气组件,上充气组件包括设于腔盖上的上充气接头及设于腔盖内表面的上填充块,上填充块的上表面设有上导流槽,上充气接头与上导流槽连通,上导流槽配设有多个上出气口,多个上出气口分设于腔盖的四周;所述下充气组件包括设于腔体底部的下充气接头及设于腔体内的下填充块,所述下填充块的下表面设有下导流槽,所述下充气接头与下导流槽连通,所述下导流槽配设有多个下出气口,多个所述下出气口分设于所述腔体的四周。本实用新型具有结构简单、有利于防止工件受到冲击而碎裂等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 平板 pecvd 设备 充气 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的