[实用新型]用于核辐射探测的半导体中子探测器

摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于核辐射探测的半导体中子探测器。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：衬底，所述衬底包括连为一体的上部和下部；A中子转换层，所述A中子转换层形成于所述衬底的上部，且所述A中子转换层上表面设有A金属层；B中子转换层，所述B中子转换层形成于所述衬底的下部，且所述B中子转换层下表面设有B金属层；电子收集层，所述电子收集层形成于所述A中子转换层外周的衬底的上部。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器具有能够提高探测效率以及辐射能量分辨率，并且具有低功耗以及时间响应快的特点。

主权项

1.一种用于核辐射探测的半导体中子探测器，其特征是，所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：/n衬底（100），所述衬底（100）包括连为一体的上部和下部；/nA中子转换层（200），所述A中子转换层（200）形成于所述衬底（100）的上部，且所述A中子转换层（200）上表面设有A金属层（210）；/nB中子转换层（300），所述B中子转换层（300）形成于所述衬底（100）的下部，且所述B中子转换层（300）下表面设有B金属层（310）；/n电子收集层（400），所述电子收集层（400）形成于所述 A中子转换层（200）外周的衬底（100）的上部。/n