[实用新型]倒装发光二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201920822971.2 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN210429862U 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 申请(专利权)人: 大连德豪光电科技有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郭玮
地址: 116051 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 本申请提供一种倒装发光二极管芯片,在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层,在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损,出现锡膏与P或N极连接,也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路,出现漏电失效的情况。同时,通过发光层、P型半导体层以及P极金属层设置于倒装发光二极管芯片中间部分,使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘,解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险。从而可有效降低漏电风险,提高了产品工作可靠性,提升产品良率。
搜索关键词: 倒装 发光二极管 芯片
【主权项】:
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