[实用新型]一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201920888251.6 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN210040877U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 海*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构及其制备方法，包括底部同质结分布布拉格反射镜（DBR）和顶部同质结DBR以及电流注入孔径的制作方法，从而实现GaN基VCSEL电注入激光光源。本实用新型提出一种水平空气柱电流注入孔径结构，包含下电流注入层和上电流注入层，利用电化学刻蚀工艺制备出电流注入孔径。本实用新型无需二次外延生长顶部DBR结构，只需一次外延生长即可完成GaN VCSEL完整外延结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。本实用新型提出的一种水平空气柱电流注入结构能有效地限制侧向电流的扩散，降低器件的阈值电流密度，解决GaN基VCSEL电流注入孔径的制作难题。 | ||
| 搜索关键词： | 电流注入孔径 本实用新型 水平空气 电流注入层 同质结 制备 垂直腔面发射激光器 半导体光电子技术 分布布拉格反射镜 电化学刻蚀工艺 电流注入结构 侧向电流 激光光源 降低器件 外延材料 外延结构 外延生长 一次外延 电注入 有效地 制作 扩散 生长 保证 | ||
【主权项】：
1.一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括底部同质结分布布拉格反射镜、下电流注入层、多量子阱有源层、隧道结、上电流注入层以及顶部同质结分布布拉格反射镜。/n
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