[实用新型]一种高晶体质量的外延结构有效
| 申请号： | 201920900630.2 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN210576001U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 黎国昌;颜君波;周佳民 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高晶体质量的外延结构，从下至上依次包括衬底、AlN薄膜层、高温缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，所述AlN薄膜层的材料为AlN，所述高温缓冲层的材料为AlGaN或GaN。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 质量 外延 结构 | ||
【主权项】：
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