[实用新型]一种高亮度的外延结构有效
| 申请号： | 201920900791.1 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN210156414U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 黎国昌;颜君波;朱志超 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高亮度的外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，还包括N/P插入层，所述N/P插入层设置在多量子阱有源层和P型层之间，所述N/P插入层为InAlGa、InAl或InGa。本实用新型在多量子阱有源层与P型层之间插入N/P插入层，以形成一个低势垒层，加速空穴从P型层流出，提高空穴注入效率，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 外延 结构 | ||
【主权项】：
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