[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920904236.6 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN210136879U | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 王英杰;饶晓俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;王月玲 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电极端；第一掺杂区，自外延层表面延伸至外延层中，第一掺杂区与基区被外延层分隔；第二掺杂区，位于外延层中，分别与基区、第一掺杂区接触；以及电导通路径，用于将第一掺杂区与外延层电连接，其中，半导体衬底、外延层以及发射区的掺杂类型为第一掺杂类型，基区、第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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