[实用新型]一种可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系有效
| 申请号： | 201920910699.3 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN210620237U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吴绍龙;肖臣鸿;周忠源;李刘晶;丁浩;李孝峰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04;H01G9/20 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 完全 光解 内嵌硅 pn 氧化铁 阳极 体系 | ||
【主权项】：
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