[实用新型]一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器有效
申请号: | 201920930316.9 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN210092100U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 李国强;郑昱林;王文樑;粱敬晗 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;隆翔鹰 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本实用新型公开了一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器。所述紫外探测器包括由下至上的衬底、石墨烯模板层、AlGaN纳米柱、与AlGaN纳米柱间形成肖特基接触的Ni第一金属层和Au第二金属层,还包括填充AlGaN纳米柱中的Si |
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搜索关键词: | 一种 基于 石墨 模板 algan 纳米 msm 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的