[实用新型]X波段大功率内匹配功率管有效

专利信息
申请号: 201920962706.4 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN209823715U 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 田锋;强盛 申请(专利权)人: 南京芯云电子科技有限公司
主分类号: H03F3/213 分类号: H03F3/213;H03F1/56;H03F1/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210012 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及微波功率器件技术领域,特别是一种X波段大功率内匹配功率管,包括GaN HEMT,所述GaN HEMT一侧通过输入预匹配网络与输入功分器相连接,所述输入功分器与输入阻抗相连接;所述GaN HEMT另一侧通过输出预分配网络与输出功分器相连接,所述输出功分器与输出阻抗相连接。采用上述结构后,本实用新型具有以下优点:1、输出功率大,功率增益高;2、附加效率高;3、工艺参数可控。
搜索关键词: 本实用新型 输入功分器 输出功 微波功率器件 功率增益 匹配功率 匹配网络 输出功率 输出阻抗 输入阻抗 预分配 可控 输出 网络
【主权项】:
1.一种X波段大功率内匹配功率管,包括GaN HEMT,其特征在于:所述GaN HEMT一侧通过输入预匹配网络与输入功分器相连接,所述输入功分器与输入阻抗相连接;所述GaNHEMT另一侧通过输出预分配网络与输出功分器相连接,所述输出功分器与输出阻抗相连接。/n
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