[实用新型]膜层沉积设备有效
申请号: | 201920970118.5 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN210215541U | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 林立;俞雷;张雷;曾圣翔;郭松辉;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 该实用新型涉及一种膜层沉积设备,包括:腔室;晶圆放置位,设置于腔室内;泵口,设置于腔室内,位于晶圆放置位旁,连通至泵,用于抽取腔室内的气体;泵罩,罩设于泵口,且泵罩顶面密封,侧面设置有通孔,泵通过通孔抽取腔室内的气体。由于在腔室内的泵口处罩设了一个泵罩,在通过泵对腔室内的气体进行抽取时,气流要经过泵罩侧边设置的通孔进入泵口,因此被泵罩所缓冲,不会被泵直接大流量的一次性所抽取,气流更加平缓均匀,因此在这样的腔室内沉积的晶圆表面的膜层,不会由于泵的过猛的抽气作用而使得沉积气体向晶圆边缘分布,不会出现沉积的膜层边缘厚、中心薄的现象,能够沉积出平整度理想的膜层,从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。 | ||
搜索关键词: | 沉积 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920970118.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种充放电型低压快速窃电识别装置
- 下一篇:一种旅游管理教学用的组合沙盘
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的