[实用新型]一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路

摘要

一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路，由第1‑NMOS管和第1‑MIM电容器、第1‑PMOS管和第3‑PMOS管、第3‑NMOS管和第5‑PMOS管并同第2‑NMOS管和第2‑MIM电容器、第2‑PMOS管和第4‑PMOS管、第4‑NMOS管和第6‑PMOS管构成，并分别形成开关电容结构、CMOS传输门结构、共漏放大器结构，且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联，且该共漏放大器的输出与CMOS传输门形成电学串联。其效果是，提供了一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路，做到完全与常规5V～8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配，且能提高像素单元电路输出到镜面电极的电压摆幅，另外，在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。