[实用新型]图像像素件有效
申请号: | 201921009944.X | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN210200733U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | S·伯萨库尔;M·A·苏弗里德格 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高文静 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及图像像素件。本实用新型的一个方面的目的是提供改善的图像像素。根据本实用新型的一个方面,提供了一种图像像素件,包括:外部子像素组,外部子像素组包括至少第一子像素,其中第一子像素具有第一光敏感度;内部子像素组,内部子像素组嵌套在外部子像素组内并且包括至少第二子像素,其中第二子像素具有小于第一光敏感度的第二光敏感度;至少在外部子像素组上形成的滤光器层;像素间光屏蔽结构,像素间光屏蔽结构形成在图像像素的外边界处;像素内光屏蔽结构,像素内光屏蔽结构形成在内部子像素组的外周边上,其中滤光器层、像素间光屏蔽结构和像素内光屏蔽结构是共面的。本实用新型的一个方面的技术效果是提供了改善的图像像素。 | ||
搜索关键词: | 图像 像素 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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