[实用新型]一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构有效
| 申请号： | 201921016229.9 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN210200737U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 代萌;李承杰;顾嘉庆 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多晶硅作为源区的沟槽MOSFET结构及其制备方法，MOSFET结构，包括基片和外延层，且外延层上淀积有重掺杂多晶硅层形成源区，外延层内设有沟槽，沟槽内部和侧壁上淀积有栅氧化物层，且外延层内部的栅氧化层的厚度小于源区内的栅氧化物层的厚度。本实用新型的优点是：比传统MOSFET整个工艺流程更为简单，通过淀积多晶硅形成的源区宽度更易控制，增强了的源区的可靠性，且不会影响沟道长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 作为 沟槽 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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