[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201921077722.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN210006741U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 夏黎明;曹志强 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/41 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭云 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一Ti金属层，所述负极金属膜包括从下至上依次设置的第二Au金属层、第二Pt金属层和第二Ti金属层。本实用新型提供的半导体器件，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 半导体基体 半导体器件 本实用新型 负极 依次设置 正极金属 金属膜 电极 半导体技术领域 整体工作性能 从上到下 接触性能 上表面 下表面 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括半导体基体(1)、设置在所述半导体基体(1)下表面的负极金属膜(2)以及设置在所述半导体基体(1)上表面的正极金属电极(3)，所述正极金属电极(3)包括从上到下依次设置的第一Au金属层(31)、第一Pt金属层(32)和第一Ti金属层(33)，所述负极金属膜(2)包括从下至上依次设置的第二Au金属层(21)、第二Pt金属层(22)和第二Ti金属层(23)。/n
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