[实用新型]一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的装置有效

专利信息
申请号: 201921111045.0 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN210314563U 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 陈洪建;杜森;张恩怀 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/14;C23C14/35
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型为一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的装置。该装置包括该装置的组成包括炉体、钢罩、底盘、金属管、第一石墨电极和第二石墨电极;所述的炉体为钢制圆筒,顶部设置有钢罩,底部设置有钢制底盘,二者将炉体密闭;所述的底盘中心设置有尾气出气口;上表面围绕出气口环形均匀分布有4~10个第二石墨电极,每个第二石墨电极上安装有可调节卡槽,卡槽内固定垂直安装的金属管的底端,金属管的底端和第二石墨电极电连接。本实用新型综合考虑化学气相沉积法和磁控溅射的溅射源的结构,获得直接接合在衬底管上的多晶硅靶材。
搜索关键词: 一种 化学 沉积 法制 多晶 硅靶材 装置
【主权项】:
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