[实用新型]用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构有效

专利信息
申请号: 201921111332.1 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN210683937U 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张亮;汪小知;沈龙 申请(专利权)人: 杭州英希捷科技有限责任公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/458
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 311215 浙江省杭州市萧山经济*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种用于气相沉积生长碳纳米管阵列的基底悬浮式石英舟结构。所述的石英舟结构包括石英舟主体和带有多个卡槽结构的两个侧壁,侧壁的卡槽结构用来固定生长碳纳米管的基底;卡槽为布置于石英舟侧壁板内表面的截面为矩形的条形槽,条形槽的两端非封闭,多个卡槽相平行间隔布置且位于石英舟侧壁板的内表面;两个侧壁对应的卡槽处于同一高度处。本实用新型主要解决了在化学气相沉积装置用双面生长碳纳米管阵列时,基底两面生长的碳纳米管阵列形貌不一致的问题;以及解决了在生长过程中若使用金属箔作为基底,当生长温度较高时,金属箔容易受热弯曲的问题。
搜索关键词: 用于 沉积 生长 纳米 阵列 基底 悬浮 石英 结构
【主权项】:
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