[实用新型]半导体设备及其加热装置有效
| 申请号： | 201921117659.X | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN210015841U | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙威壮;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体设备及其加热装置。该加热装置包括：加热部；所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。加热装置对挡板进行加热可以延长挡板的清洗周期，降低了薄膜制备设备的维护成本，提高了薄膜制备设备的运行效率。 | ||
| 搜索关键词： | 挡板 加热装置 薄膜制备设备 加热部 预设 加热 半导体设备 本实用新型 清洗周期 运行效率 电热丝 壳体 相抵 体内 维护 | ||
【主权项】：
1.一种用于加热挡板的加热装置，其特征在于，包括：加热部；/n所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；/n其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
