[实用新型]一种低表面浓度深结太阳能电池片

摘要

本实用新型公开了一种低表面浓度深结太阳能电池片，涉及太阳能电池领域，包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极，其特征在于，所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成，所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区，重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方，重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致，所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度，重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深，本实用新型栅线电极以下区域形成高浓度掺杂，栅线电极以外区域形成低浓度掺杂，减少了表面复合，提高光电转化效率。