[实用新型]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层有效

专利信息
申请号: 201921181179.X 申请日: 2019-07-25
公开(公告)号: CN210272385U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 申请(专利权)人: 中山德华芯片技术有限公司
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/041;H01L31/0687;H01L31/0693
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 冯炳辉
地址: 528437 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层,位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间,由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成,每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成,且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化,每对DBR对包含两层半导体材料层,该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本实用新型将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中,既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度,又可以充分发挥反射镜的作用,同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗,有利于降低成本。
搜索关键词: 应用于 晶格 失配 太阳能电池 外延 生长 渐变 缓冲
【主权项】:
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