[实用新型]菱形硅片载片舟的冷却装置有效
申请号: | 201921194958.3 | 申请日: | 2019-07-27 |
公开(公告)号: | CN210560745U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 王杨阳;王红美;章新良;孙嵩泉 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源(蚌埠)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46;H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 张建宏;和聚龙 |
地址: | 233030 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型给出了一种菱形硅片载片舟的冷却装置;包括底座、风冷组件、两个支架和若干销轴;两个支架分别固定连接在底座上端面两侧,若干销轴分为两组,两组销轴分别固定在两个支架上,两组销轴相对布置,两组轴销与载片舟的底部配合且两组轴销用于支撑载片舟;风冷组件包括若干风冷管,风冷管一端与气源连接,风冷管另一端封闭,风冷管表面开有若干风冷孔,所述风冷孔对准载片舟上的菱形硅片。若干销轴支撑载片舟,气源向风冷组件的风冷管输送冷风介质,再从风冷孔吹出对载片舟上的菱形硅片进行冷却,加速了对菱形硅片的冷却作业,提升了工作效率。 | ||
搜索关键词: | 菱形 硅片 载片舟 冷却 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的