[实用新型]一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构有效
| 申请号： | 201921225002.5 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN210223949U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L21/54;H01L21/52;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构，属于三维系统级集成电路封装领域。所述三维系统级集成硅基扇出型封装结构包括硅基，该硅基的第一面沉积有截止层；第二面刻蚀有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一层重布线，所述凹槽中埋有桥芯片；所述背面第一层重布线依次通过背面第二层重布线和微凸点与高密度I/O异质芯片焊接；所述硅基的第一面依次形成有正面重布线、阻焊层和凸点，所述正面重布线与所述背面第一层重布线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 系统 集成 硅基扇出型 封装 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
