[实用新型]一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列

摘要

本实用新型公开了一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，包括P型衬底、N型扩散区和电压调制区，所述P型衬底的左侧设有第一N型隔离区，所述P型衬底的右侧设有第二N型隔离区；本实用新型的浪涌保护阵列将低容二极管阵列与晶闸管集成在一起，采用晶闸管作为主要浪涌泄放器件，相对于采用相同封装的以传统TVS作为浪涌泄放器件的ESD阵列的65A，本实用新型的浪涌电流IPP的值实现达到100A，具有相对于采用TVS作为浪涌泄放器件更强的浪涌能力，满足了静电防护及浪涌防护的应用要求，从而使得静电防护器件在使用中可以在极短的时间内导通分流，避免浪涌对回路中其他设备的损害。