[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201921241097.X | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210296382U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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