[实用新型]一种碳化硅结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201921266363.4 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN210349845U | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;张梓豪;陈欣璐;黄兴 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种具有低正向导通电压、高反向击穿电压的碳化硅（SiC）结势垒肖特基二极管。所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括碳化硅衬底，衬底上具有不同导电类型的碳化硅外延层。另外在上端表面还制作有有源区和注入区，碳化硅衬底底部背面覆盖有欧姆接触电极，有源区和注入区表面设有肖特基接触电极，在所述的肖特基电极边缘设有钝化层，在钝化层下制作有结终端。本实用新型与传统器件相比，在JBS器件中的漂移区中增加有源区注入，能够有效分散反向击穿时的电场分布，增加反向耐压，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，使器件达到更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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