[实用新型]一种新型激光掺杂选择性发射极图案有效
申请号: | 201921272061.8 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN210110822U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张波;张尧;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;郭丽;郭卫;董建明;邓铭 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/70;B23K26/362 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本实用新型涉及激光掺杂选择性发射极领域。一种新型激光掺杂选择性发射极图案,正面激光图栅线数量为106,其中相邻线距为1.4762mm,每根线为镂空虚线,其中实线部分长为0.6mm,虚线部分长为0.12mm,另外相邻两根图栅线的镂空虚线之间交错相间,相间距离为0.3mm。通过优化正面激光图案,改善制作碱抛选择性发射极时激光掺杂区容易被刻蚀的问题,保证碱抛选择性发射极的工艺稳定,效率提升0.2%。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 激光 掺杂 选择性 发射极 图案 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的