[实用新型]一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器有效
| 申请号： | 201921284200.9 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN210639269U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;曹志强;冷群文 | 申请（专利权）人： | 歌尔科技有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 266104 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括位于磁阻外表面的金属保护层；所述金属保护层经过图形化形成磁阻上表面的第一引线部，所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。本实用新型的电连接结构，第一引线部形成在磁阻的顶面，这样可以提高第一引线部与磁阻的接触面积，保证了二者导通的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 连接 结构 | ||
【主权项】：
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