[实用新型]一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备有效
| 申请号： | 201921288130.4 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN211142151U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 陶洁雯 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备，包括载片装置、修膜装置、金属溅射装置、氮化物溅射装置、传送装置；传送腔分别与载片腔、修膜腔、金属溅射腔、氮化物溅射腔的晶片传送口连通；在每个晶片传送口处均安装有阀门，每个阀门都能够实现独立打开或关闭；所述传送腔中设有机械手，所述机械手用于从载片盒取出晶片，并且能够在修膜腔、金属溅射腔及氮化物溅射腔之间进行传片操作。采用本实用新型在沉积薄膜的过程中，采用直流与射频磁控溅射相结合的方法，可以避免沉积的薄膜中间厚边缘薄的问题，结合等离子体刻蚀修膜技术，可以使4‑8英寸晶片上的薄膜厚度均匀性≤0.1％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 金属 薄膜 沉积 修整 设备 | ||
【主权项】：
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