[实用新型]一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片有效
| 申请号： | 201921289193.1 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN210272374U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁文华;习毓;陈骞;周新棋;智晶;田欢 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 mosfet 版图 结构 芯片 | ||
【主权项】：
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