[实用新型]反熔丝存储单元

摘要

本实用新型实施例涉及一种反熔丝存储单元，包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度。本实用新型可以降低电场对选择栅介质层的损伤，从而提高反熔丝存储单元中选择晶体管的可靠性。