[实用新型]一种氮化镓电子器件的复合介质结构有效
| 申请号： | 201921327428.1 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN210467851U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;殷海波;黄森;王鑫华;魏珂;黄健;张超;吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)，低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件上，高击穿电场介质层(2)，生长在低界面态介质插入层(1)上。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子器件 复合 介质 结构 | ||
【主权项】：
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