[实用新型]具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构有效
| 申请号： | 201921343908.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN210926025U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOS结构，具体是一种具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构，属于半导体器件的制造技术领域。所述具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型重掺杂衬底以及位于所述N型重掺杂衬底上的N型外延层，在所述N型外延层中形成沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面延伸；所述沟槽中设有栅极导电多晶硅和位于所述栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，所述沟槽下设有厚底氧化层，所述厚底氧化层周面光滑。具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构能够进一步地优化电场并提高器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 底部 氧化 沟槽 mos 结构 | ||
【主权项】：
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