[实用新型]一种半导体发光器件

摘要

一种半导体发光器件，属于半导体光电技术领域，在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层，在蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极；蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间。本实用新型改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题，提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率，降低了终端产品制作的复杂度。