[实用新型]一种改善EMI的MOSFET有效
| 申请号： | 201921370993.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN209447807U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;胡兴正;陈虞平;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 梁金娟 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善EMI的MOSFET。包括衬底和外延层，外延层上侧长有栅氧化层，栅氧化层上侧沉积有栅极多晶，栅极多晶具有固定电阻率，栅极多晶上侧沉淀有介质层，介质层上刻蚀有第一连接孔和第二连接孔，介质层上侧间隔设有条栅金属引线和栅开窗金属，条栅金属引线和栅开窗金属分均与栅极多晶连接。本实用新型通过将条栅金属引线与栅开窗金属分开，并分别通过第一连接孔和第二连接孔与栅极多晶连接，进而在第一连接孔与第二连接孔之间的栅极多晶形成增加的栅极电阻的一部分，从而提高栅极电阻值，进而提高MOSFET的EMI；调节第一连接孔与第二连接孔之间的距离，使得栅极电阻值线性可调，从而适用于不同EMI需求的MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 连接孔 多晶 金属引线 栅极电阻 介质层 开窗 条栅 本实用新型 栅氧化层 外延层 金属 上侧间隔 线性可调 电阻率 衬底 刻蚀 沉积 沉淀 | ||
【主权项】：
1.一种改善EMI的MOSFET，其特征在于，包括第一导电类型的衬底，所述衬底上侧设有外延层，所述外延层上侧长有栅氧化层，所述栅氧化层上侧沉积有栅极多晶，所述栅极多晶经第二导电类型杂质掺杂和第一导电类型杂质普注形成具有固定电阻率的栅极多晶，所述栅极多晶上侧沉淀有介质层，所述介质层上刻蚀有第一连接孔和第二连接孔，所述介质层上侧间隔设有条栅金属引线和栅开窗金属，所述条栅金属引线通过第一连接孔与栅极多晶连接，所述栅开窗金属通过第二连接孔与栅极多晶连接。
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