[实用新型]一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器有效
申请号: | 201921385429.1 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN210245513U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 詹健龙;宋禹忻 | 申请(专利权)人: | 浙江焜腾红外科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 程开生 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器,属于光探测器技术领域,包括外壳、电子组件和探测窗,所述电子组件安装在外壳内部,所述探测窗镶嵌在外壳表面,所述外壳分别包括下壳体和上壳体,所述下壳体和上壳体一端通过铰链连接,所述上壳体顶端螺旋插接有锁紧轮,所述上壳体表面对称开设有定位孔,所述下壳体右端表面中间位置开设有螺纹孔,且下壳体右端表面对称安装有定位柱,所述下壳体上方一体成型有凸台,所述凸台外壁靠近底端粘接有密封圈。本实用新型把上壳体和下壳体的一端通过铰链连接,组装的时候,仅通过一个锁紧轮插接在螺纹孔内部即可锁紧固定,操作省时省力。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 低点 缺陷 密度 二类超 晶格 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江焜腾红外科技有限公司,未经浙江焜腾红外科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201921385429.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种强制P型表面态光探测器
- 下一篇:一种用于服务器的可调式GPU支撑装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的