[实用新型]助焊剂容置装置及倒装设备有效
| 申请号： | 201921424548.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210040163U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李利 | 申请（专利权）人： | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种助焊剂容置装置及倒装设备，涉及半导体技术领域。该装置包括容置单元、动力单元及深度切换单元。容置单元包括底板及至少一端开口的容置筒，底板设置在容置筒内，底板的第一侧面与容置筒内壁形成用于容置助焊剂的容置槽。动力单元与深度切换单元连接，用于向深度切换单元提供动力。深度切换单元的一端与底板的第二侧面连接，深度切换单元的另一端与动力单元连接，用于在动力单元提供的动力的作用下，带动底板在容置筒内移动，以改变容置槽的深度。其中，第一侧面与第二侧面相对设置。该助焊剂容置装置可适用于不同深度要求的产品，不需要根据不同产品的高度要求更换倒装设备中的助焊剂容置装置。 | ||
| 搜索关键词： | 底板 切换单元 动力单元 容置筒 助焊剂 容置装置 容置单元 容置槽 侧面 倒装 半导体技术领域 侧面连接 深度要求 相对设置 一端开口 内壁 容置 移动 申请 | ||
【主权项】：
1.一种助焊剂容置装置，其特征在于，包括容置单元、动力单元及深度切换单元，/n所述容置单元包括底板及至少一端开口的容置筒，所述底板设置在所述容置筒内，所述底板的第一侧面与容置筒内壁形成用于容置助焊剂的容置槽；/n所述动力单元与所述深度切换单元连接，用于向所述深度切换单元提供动力；/n所述深度切换单元的一端与所述底板的第二侧面连接，所述深度切换单元的另一端与所述动力单元连接，用于在所述动力单元提供的动力的作用下，带动所述底板在所述容置筒内移动，以改变所述容置槽的深度，其中，所述第一侧面与所述第二侧面相对设置。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于甬矽电子(宁波)股份有限公司，未经甬矽电子(宁波)股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921424548.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
