[实用新型]用于碳化硅外延生长的石墨基座有效
| 申请号： | 201921447188.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN210506587U | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨龙;赵丽霞;吴会旺;李伟峰;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 田甜 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的弧形部相接，嵌块嵌设于凹槽内；嵌块与基座本体可拆卸连接；嵌块的内侧壁用于与碳化硅衬底侧壁的参考面部相接，清理用于碳化硅外延生长的石墨基座表面碳化硅层时，将嵌块和基座本体分开清理。本实用新型提供的用于碳化硅外延生长的石墨基座，作业人员清理该用于碳化硅外延生长的石墨基座的过程中不易对该用于碳化硅外延生长的石墨基座造成损伤，延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 碳化硅 外延 生长 石墨 基座 | ||
【主权项】：
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