[实用新型]一种反向导通场截止型IGBT有效
| 申请号： | 201921512202.9 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN210073859U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 徐守一;陈广乐;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 35234 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王春霞 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种反向导通场截止型IGBT，包括衬底；衬底为P型衬底；P型衬底的背面设有集电极；P型衬底的正面设有电场终止层；电场终止层背离P型衬底的一面设有漂移区；漂移区内设有P型的场限环，场限环设有多个；场限环上设有场氧化层和氧化物介质层；P型衬底的正面还设有P阱，P阱内设有N型的发射极；氧化物介质层上覆盖设有钝化层。本实用新型提供的反向导通场截止型IGBT，在全面注入N型杂质后进行高温退火，从而加快导通以及降低压降；其次，采用高能电子束对晶圆进行辐照，引入晶格缺陷，降低漂移区的载流子寿命，当FRD从正偏改为反偏时，载流子的复合速度变快，从而提高了反向导通场截止型IGBT的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 反向导通 场限环 截止型 氧化物介质层 本实用新型 电场 漂移区 终止层 载流子 漂移 高能电子束 载流子寿命 场氧化层 高温退火 晶格缺陷 辐照 钝化层 发射极 集电极 导通 反偏 晶圆 压降 背面 背离 复合 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种反向导通场截止型IGBT，其特征在于：包括衬底；所述衬底为P型衬底(10)；所述P型衬底(10)的背面设有集电极(20)；所述P型衬底(10)的正面设有电场终止层(30)；所述电场终止层(30)背离所述P型衬底(10)的一面设有漂移区(40)；所述漂移区(40)内设有P型的场限环(50)，所述场限环(50)设有多个；所述场限环(50)上设有场氧化层(60)和氧化物介质层(70)；/n所述P型衬底(10)的正面还设有P阱(80)，所述P阱(80)内设有发射极(81)；所述氧化物介质层(70)上覆盖设有钝化层(90)。/n
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