[实用新型]一种光刻版有效
申请号: | 201921515122.9 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN210721012U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 何火军;高周妙;庞海舟;隋晓明;罗宁;赵学锋 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种光刻版,包括光刻基板;多个第一沟槽图案,分布在多个芯片图案区内,每个第一沟槽图案用于分别形成相应的一个芯片区中的第一沟槽;以及多个第二沟槽图案,分布在划片区内,每个第二沟槽图案分别用于形成划片道中的第二沟槽,划片道用于限定每个芯片区的边缘,其中,多个第二沟槽图案中的至少部分沟槽延伸方向与所述多个第一沟槽图案的部分沟槽延伸方向不平行,使得第二沟槽中产生的应力与第一沟槽中产生的应力之间存在一定的角度,应力在方向上相互交叉,继而将晶圆中的多个芯片相互隔离,使得各个芯片中的应力无法叠加,从而改善了整个晶圆的翘曲形变。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备