[实用新型]一种倒装紫外发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201921515520.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN211182232U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张向鹏;崔志勇;李勇强;薛建凯;王雪;郭凯;张晓娜 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张宏伟 |
| 地址： | 100000 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片，包括：紫外发光二极管的外延结构，所述P型欧姆接触层上设置有多个减薄区域；电流扩散层，所述电流扩散层设置在所述P型欧姆接触层的下表面；随着所述述P型欧姆接触层的表面起伏而与所述述P型欧姆接触层贴合设置；DBR透镜层，所述DBR透镜层设置在所述电流扩散层的下表面，随着电流扩散层的表面起伏而与所述沿着所述电流扩散层贴合设置；正极电极，所述正极电极的一部分穿过所述P型欧姆接触层、电流扩散层与所述P型半导体材料层接触；所述正极电极的另一部分与所述电流扩散层接触；通过上述方案提高了紫外发光二极管芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 紫外 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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