[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201921527295.2 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN210272376U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;章剑锋;黄玉恩 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区及第二阱区，第二阱区包括间隔分布的多个掺杂单元，在第一方向上第一阱区的最大宽度大于等于掺杂单元的最大宽度；第二电极层，覆盖外延层及阱区设置。本实用新型实施例提供的半导体器件，在具备优异的正向额定导通能力的同时，具备更强的浪涌电流导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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