[实用新型]一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备有效
申请号: | 201921530325.5 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN211256085U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/24;C23C14/56;C23C14/16 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 213164 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备,包括依次设置的机械手上料台、本征非晶硅镀膜体系、水平移载台、N层非晶硅镀膜体系、翻转移载台、P层非晶硅镀膜体系及机械手下料台,以及分别用于本征非晶硅镀膜体系、N层非晶硅镀膜体系与P层非晶硅镀膜体系的载板,以及用于载板回传的载板回传循环系统一、载板回传循环系统二及载板回传循环系统三,载板通过链式输送带连续循环运行。该实用新型通过设备和工艺的整合连续动态镀膜,一次性完成4层HIT电池非晶硅膜的镀膜,产能达到6000片/小时或更高,且解决了绕镀及化学元素磷和硼在硅片正反面的交叉污染问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 hit 电池 非晶硅 镀膜 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的