[实用新型]一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201921548052.7 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN210778610U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇;朱超群 | 申请（专利权）人： | 深圳爱仕特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/45;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次设置的背面漏极金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上方内部设置有两组对称布设的p阱，所述p阱内部中间部位设置有由第一次自对准工艺得到的源极接触n+区域，所述源极接触n+区域内部中间部位设置有由第二次自对准工艺得到的源极接触p+区域，所述碳化硅外延层上表面上设置有第一绝缘栅介质层，所述栅电极上和源极接触孔的侧壁上设置有第二绝缘栅介质层。本实用新型实现了沟道区域的自对准工艺，同时也实现了P+区域的自对准工艺，减少了一次光刻，简化工艺，节约制造成本，同时提高了碳化硅MOSFET器件导通电阻的均匀性与长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 区域 对准 工艺 碳化硅 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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