[实用新型]一种浅沟槽隔离结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201921620570.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN210142652U | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 赖惠先;童宇诚;林昭维;朱家仪 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘颖 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件，包括：具有一顶部的衬底；位于所述衬底的顶部一侧至少有一个沟槽；沿所述沟槽的内壁依次有第一介电层、第二介电层和第三介电层，其中，所述第一介电层的顶部低于所述第二介电层的顶部和所述衬底的顶部，使所述第二介电层和所述衬底之间形成第一凹槽，且所述衬底对应所述沟槽的顶部的边缘角处呈弧面。由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，衬底对应沟槽的顶部的边缘处呈弧面，使得衬底对应沟槽的顶部的边缘处无陡峭尖角而更加圆滑，进而能够改善浅沟槽隔离结构的尖端放电问题，提高浅沟槽隔离结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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