[实用新型]一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器有效
申请号: | 201921639532.4 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN210245520U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 施嘉伟;李孝峰;张程;刘添裕;曹诗嘉;眭博闻;蔡文杰 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0232 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 吕明霞 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器,包含硅基底和金光栅;金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层;金光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,减少了热电子的热化损失,增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率,进而提升了光电探测器的响应度;调节金光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。 | ||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 光栅 结构 窄带 红外 电子 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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