[实用新型]反熔丝存储单元电路及阵列电路有效
| 申请号： | 201921654359.5 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN210271793U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李新 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种反熔丝存储单元电路及阵列电路，本实用新型的优点在于：1、本实用新型反熔丝存储单元电路是纯组合电路，相比时序电路，在延迟若干时间之后，所有通路都被关闭，且整个电路没有逻辑动作，静态功耗更低，功耗近似为0；2、本实用新型反熔丝存储单元电路通过开关和逻辑运算模块的设计，实质上构成了两个正反馈回路，使得读出电路可以更可靠的读出“0”或“1”；3、本实用新型反熔丝存储单元电路可以省去复杂的时序控制部分，甚至读出电路的输出OUTA/OUTB可以不用锁存，直接作为反熔丝的编码输出。4、本实用新型反熔丝存储单元电路版图布局布线灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 单元 电路 阵列 | ||
【主权项】：
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